RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Pontuação geral
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
42
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
37
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
2765
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link