RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Pontuação geral
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
42
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
36
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
2720
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Comparações de RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link