RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
42
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
24
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
2438
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link