RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
42
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
35
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
3045
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link