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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Razões a considerar
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
42
Por volta de -121% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.8
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
19
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
19.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
3370
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
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