RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
42
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
6.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
1844
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link