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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
35
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
14.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
3571
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
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