RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
35
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
13.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
3199
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link