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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
35
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.8
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
24
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
14.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
3690
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
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