RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
66
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
13.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
66
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
1877
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link