RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
36
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
10.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
2720
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Comparações de RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link