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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
9.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
35
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
13.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
9.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
2611
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
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