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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razões a considerar
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
35
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
3064
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
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