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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
62
Por volta de -114% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
1,910.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,611.3
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,910.9
11.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
627
2711
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
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