RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,109.3
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
60
Por volta de -43% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
42
Velocidade de leitura, GB/s
4,162.7
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,109.3
10.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
784
2701
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB Comparações de RAM
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link