RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
39
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
35
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2322
3306
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Comparações de RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link