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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
39
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
24
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2322
2925
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Comparações de RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
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Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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