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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
13.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.1
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
16.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2307
3804
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB Comparações de RAM
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Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Comparações de RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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