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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Pontuação geral
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
39
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,597.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
30
Velocidade de leitura, GB/s
5,022.9
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,597.0
13.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
753
3257
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparações de RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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