RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Comparar
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Pontuação geral
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
39
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
1,597.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
27
Velocidade de leitura, GB/s
5,022.9
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,597.0
10.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
753
2288
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparações de RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link