RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Comparar
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Pontuação geral
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
20.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
39
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
1,597.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
18
Velocidade de leitura, GB/s
5,022.9
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,597.0
18.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
753
3529
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparações de RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link