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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Comparar
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
39
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
1,597.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
29
Velocidade de leitura, GB/s
5,022.9
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,597.0
8.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
753
2284
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparações de RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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