RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Comparar
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
63
Por volta de -152% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
25.6
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
20.7
5.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
25
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
25.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.0
20.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1274
4537
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Comparações de RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link