RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Comparar
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
63
Por volta de -163% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
5.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
24
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.0
16.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1274
3987
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Comparações de RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link