PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

Pontuação geral
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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB

Pontuação geral
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Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 36
    Por volta de 28% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15 left arrow 13.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.3 left arrow 8.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 10600
    Por volta de 2.01 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    26 left arrow 36
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.7 left arrow 15.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.3 left arrow 11.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2270 left arrow 2653
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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