RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Comparar
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2270
3055
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link