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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Comparar
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Pontuação geral
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Pontuação geral
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
6.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
38
Por volta de -27% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
6.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2753
1254
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
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