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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Pontuação geral
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Pontuação geral
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Razões a considerar
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
38
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
10.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
31
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
12.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2753
3409
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
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