RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Comparar
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Pontuação geral
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
38
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
10.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2753
2704
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link