RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Comparar
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
79
Por volta de -114% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.5
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
1,468.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
79
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,061.8
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,468.1
7.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
422
1949
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Comparações de RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link