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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Comparar
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Pontuação geral
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
57
79
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
1,468.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
79
57
Velocidade de leitura, GB/s
3,061.8
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,468.1
10.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
422
2377
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Comparações de RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
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