RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Comparar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
43
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
12.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
3086
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link