RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Comparar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
43
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
14.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
3645
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link