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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
43
Por volta de -72% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
2481
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
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