RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Comparar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
43
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
10.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
2658
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NF-CG 2GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link