RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Comparar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
43
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
40
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
9.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
2254
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link