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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
43
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
11.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
2590
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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