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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Razões a considerar
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
43
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
2829
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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