RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Comparar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
43
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.8
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
18.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
4095
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link