RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Comparar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.7
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
2929
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link