RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Comparar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.4
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
17.4
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
3963
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link