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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Razões a considerar
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
42
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.2
Largura de banda de memória, mbps
21300
25600
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
2488
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
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