RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Comparar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
13
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
42
Por volta de -56% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.4
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
2594
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link