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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
43
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
34
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
3043
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
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