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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
43
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
2628
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
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