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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
INTENSO M418039 8GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs INTENSO M418039 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
INTENSO M418039 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
INTENSO M418039 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
43
Por volta de -115% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
11.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
INTENSO M418039 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
20
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
7.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
2414
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
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INTENSO M418039 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KC5N22-MIE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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