RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
46
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
46
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
2961
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link