RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
43
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
35
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
10.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
2613
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link