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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
81
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.4
8.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
5.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
81
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
5.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
1651
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
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