RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
53
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.4
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
53
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
2356
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link